1.采用多晶硅發(fā)射區(qū)和基區(qū)重?fù)诫s技術(shù)，獲得了可與cmoS結(jié)構(gòu)兼容，基區(qū)電阻較小的硅低溫雙極晶體管。

2.通過(guò)改變前置放大級(jí)的陰極電阻或者屏極電阻，是不是就可以改變?cè)鲆婊蛘咭羯?/p>

3.采用二階溫度補(bǔ)償和電流反饋技術(shù)，設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一種基于襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)和電阻分壓技術(shù)的超低壓cmoS帶隙基準(zhǔn)電壓源。

4.針對(duì)電纜管絞機(jī)中的實(shí)際要求，在對(duì)其磁力懸浮系統(tǒng)的磁路、磁力以及電阻和溫度等各方面進(jìn)行理論分析的基礎(chǔ)上，提出了設(shè)計(jì)方法。

5.采用電阻加熱式真空蒸鍍法在玻璃、H13鋼、塑料和純銅基體上鍍制鋁膜，并對(duì)其附著力進(jìn)行了測(cè)試和分析。

6., 因此電阻率也是常數(shù),并遵循歐姆定律.

7.我們的產(chǎn)品包括電阻合金,銅基低阻合金,熱電偶絲,熱電偶纜以及補(bǔ)償導(dǎo)線.

8.本文對(duì)非填充全塑市話電纜的絕緣電阻進(jìn)行了深入的理論研究.

9.從變電站工程施工的實(shí)際情況出發(fā)，分析了變電站降低接地電阻的方法，以期對(duì)變電站接地網(wǎng)建設(shè)有所裨益。

10.這意味著，相對(duì)來(lái)說(shuō)，通過(guò)擴(kuò)大器內(nèi)部電阻的電流壓強(qiáng)降幅較大，通過(guò)蒸發(fā)器溫度感應(yīng)器的電流電阻壓強(qiáng)降幅較小。